微电子技术是以集成电路技术为核心，设计、制造和使用微小型电子元器件和电路，实现电子系统功能的一种新型技术；同时，它也泛指应用大规模或超大规模集成电路，并综合利用现代计算机技术和通信技术，生产现代高速计算机、通信产品以及在各个领域中应用这些产品的一种综合技术。

　　微电子技术是建立在以集成电路为核心的各种半导体器件基础上的高新电子技术，特点是体积小、重量轻、可靠性高、工作速度快，微电子技术对信息时代具有巨大的影响。

　　B半导体中常用的杂质有：受主杂质（P型）：硼 施主杂质（N型）：磷，砷，锑

　　（1） 预淀积扩散：在扩散过程中，硅片表面杂质浓始终不变，又称恒表面源扩散。

　　（1） 电子碰撞（与核外电子作用）：离子质量比电子质量大很多，每次碰撞后离子能量损失小，产生小角度散射。

　　（2） 原子碰撞（同核碰撞）：由于两者质量相当，能量损失大，产生大角度的散射。

　　离子注入时，离子即未与电子也未与原子核发生碰撞而是穿过了晶格间隙使得该离子比那些发生碰撞的原子穿透得更深。他的控制方法主要有以下几种：

　　A SiO2薄膜结构：其基本单元是一个由Si——O原子组成的正四面体（图插不进，就略了）

　　首先，可以避免硅表面被镊子划伤以及蒸发，烧结，封装中可能带来的杂质玷污，起了保护硅的作用。

　　其次，它可以使硅片表面，p-n结与外界气氛隔离开来，从而减弱了环境气氛对硅片表面性质的影响。

　　（2） 晶向：（111）面的硅原子密度比（100）面大，因此，在线）硅单晶的氧化速率比（100）稍快，但电荷堆积要多

　　F 用淀积氮化物（Si3N4）作为氧化阻挡层，因此这不能被氧化，所以刻蚀后的区域可用来选择性氧化（局部氧化）

　　在局部氧化时，氧化剂穿过SiO2层横向扩散，在Si3N4掩膜层的边缘附近形成“鸟嘴”区域。

　　（4） 采用（111）晶向的P沟工艺比采用（100）晶向的N沟工艺有更短的“鸟嘴”

　　（5） 为了减小氧化物掩膜和硅之间的应力，在他们之间热生长一层薄氧化层，称之为垫氧。

　　通常在光刻工艺中结合使用此项工艺，当光刻胶溶解于药水后将SiO2露在外面然后进行刻蚀，而光刻胶便起到了保护的作用。

　　1） 将硅片暴露在气态中产生的等离子体，等离子体与硅片发生物理或化学反应，从而去掉暴露在表面的材料。

　　淀积工艺其实就薄膜淀积的过程，常用的材料有SiO2和Si3N4，金属和金属化合物薄膜。

　　化学气相淀积是通过气体混合的化学反应在硅片淀积一层固体膜的工艺，主要过程是：1高温分解 2 光分解 3 还原反应 4 氧化反应 5 氧化还原反应。

　　1 SiO2： 在VLSI多层金属中，可以做ILD，浅槽隔离的填充无和侧墙等

　　3 多 3 多晶硅：在MOS器件中，掺杂的多晶硅作为栅电极，也能阻碍注入，也就是所谓的自对准工艺。完美体育完美体育